Samsung 14 нм FinFET процесін қолданатын процессорлардың жаппай өндірісін жақында ғана бастады, бірақ ол қазірдің өзінде болашаққа дайындалып, 10 нм технологиясымен тәжірибе жасай бастады, және өзі айтқандай, 5 нм технологияның өзі үлкен мәселе емес. ол үшін. Компания бұл қызықты фактілерді ISSCC 2015 конференциясында ашты, онда ол алдағы бірнеше жылда қолданатын 10 нм технологиясымен жасалған процессорлардың прототиптерін ұсынды. Сонымен бірге, Кинам Ким Samsung компаниясы Мур заңының алдында тұрған процесті қолдана отырып, болашақта процессорлар шығаратынын растады.
Бірақ Samsung-қа Гордон Мур белгілеген шектен шығып, одан да кішірек және үнемді чиптер жасауға ештеңе кедергі емес сияқты. Компания болашақта 3,25 нм өндіріс процесін пайдаланып процессорлар шығаруды бастауы мүмкін екенін айтты. Бірақ ол қандай материалды пайдаланады деген сұрақ қалады, өйткені Intel 7 нм шегінен төмен кремнийді пайдалану мүмкін емес екенін жариялады. Сондықтан ол InGaAs аббревиатурасымен танымал Индий-Галлий-Арсенид көмегімен чиптер шығаруды жоспарлап отыр. Дегенмен, ол әлі де қазіргі 14 нм FinFET процесімен кремнийді пайдалана алады. Соңғысы бір жағынан алдын ала чиптерді өндіруде қолданылады Galaxy S6 және оны алдын ала чиптерді шығару үшін де пайдаланады iPhone 6s және Qualcomm. Ол чипті тұтынудың аз болуына байланысты IoT өнімдерінде 10 нм процесін пайдаланып жасалған процессорларды қолдануды жоспарлап отыр. Дегенмен, бұл құрылғылар 2016 және 2017 жылдардың тоғысында пайда болады.
var sklikData = { elm: "sklikReklama_47926", zoneId: 47926, w: 600, h: 190};
var sklikData = { elm: "sklikReklama_47925", zoneId: 47925, w: 600, h: 190};
*Дереккөз: Nikkeibp.co.jp; ZDNet
