Samsung әлі де таныстырмағанымен Galaxy S9 және ол туралы қазірдің өзінде болжам жасала бастады Galaxy S10. Оңтүстік кореялық алпауыт келесі жылы таныстыратын флагманы биылғыға қарағанда қуатты чипке ие болуы керек сияқты. Galaxy S9. Халықаралық нұсқаның жүрегі Galaxy S9 - Exynos 9810 және АҚШ нұсқасы - Snapdragon 845. Samsung 10 нм процесін ұстануға мәжбүр болды, бірақ 7 нм чиптер келесі жылдың басында смартфондарда пайда болуы керек, яғни. Galaxy S10.
Кеше Qualcomm 24 Гбит/с дейінгі теориялық жүктеу жылдамдығын уәде ететін смартфондарға арналған жаңа LTE модемі Snapdragon X2-ті таныстырды. Qualcomm бұл жоғары жылдамдықты қолдайтын бірінші санаттағы 20 LTE модемі екенін мәлімдейді. Осылайша, Snapdragon X24 7 нм архитектурасында құрастырылған алғашқы LTE модемі болады.
Qualcomm модемнің коммерциялық құрылғыларға осы жылдың соңында шығатынын айтты, сондықтан ол АҚШ нұсқасын қуаттандыратын Snapdragon 845 чипімен дебют жасамайды. Galaxy S9. Snapdragon 845 жүйесінде Snapdragon X20 LTE модемі бар.
Qualcomm алдағы процессордың, яғни Snapdragon 855 7 нм процесінің көмегімен шығарылатынын растамағанымен. Бұл жеткізуші қызметкерлерінің бірінің LinkedIn профиліне негізделген болжам ғана.
Snapdragon X855 модемі болатын Snapdragon 24 осылайша әлемдегі алғашқы 7 нм мобильді процессорға айналады. ЖӘНЕ Galaxy S10 мұндай процессоры бар алғашқы смартфон болады.
Дерек көзі: SamMobile
