Samsung смартфондарға арналған 8 ГБ LPDDR5 DRAM чипін ресми түрде таныстырды. Компанияның айтуынша, бұл технологиямен жасалған бірінші 8 ГБ LPDDR5 чипі 10 нм класы, ол 10 және 19 нм аралығындағы кез келген нәрсе болуы мүмкін. Алдыңғы, яғни 8 ГБ LPDDR4 чипі 2014 жылы шығарылған болатын, сондықтан оңтүстік кореялық алпауыт инновацияны ұсынғанға дейін уақыт мәселесі болды.
Samsung LPDDR5 қолданбасын негізінен жасанды интеллект арқылы 5G, автомобиль және мобильді құрылғылар салаларында табады деп мәлімдейді. 6 Мбит/с тасымалдау жылдамдығымен 400 ГБ LPDDR8 DRAM чипі қазіргі флагмандықтарда қолданылатын мобильді DRAM чиптерінен 5 есе жылдамырақ. Galaxy S9 құрылғысында 4 Мбит/с деректер жылдамдығы бар LPDDR4X чипі бар. LPDDR266 секундына 5 ГБ деректерді жібере алады, бұл шамамен 51,2 HD бейне файлы.
Samsung 1,1 В кернеуінде толық өткізу қабілеті бар нұсқаны, сондай-ақ 5 В кезінде әлсіз және үнемді 500 Мб/с нұсқасын ұсынады. LPDDR1,05 сонымен қатар терең ұйқы режимін ұсынады (Терең ұйқы), бұл ағымдағы LPDDR4X DRAM құрылғыларының қуат тұтынуын шамамен екі есе азайтады. Samsung жаңа чиптің көмегімен энергияны тұтынуды 30%-ға дейін азайтып, смартфон батареяларының қызмет ету мерзімін ұзарта алады деп мәлімдейді.
Мүмкін, чип әлі де болады Galaxy Note9 пайда болмайды, бірақ оны келесі жылы алуы мүмкін Galaxy S10.
