Samsung бүгін 3 нанометрлік өндіріс процесін қолдана отырып, жаңа DDR20 DRAM модульдерін жаппай шығаруды бастады. Бұл жаңа модульдердің сыйымдылығы 4 Гб, яғни 512 МБ. Дегенмен, жеке модульдердің қолжетімді жады олардың негізгі ерекшелігі болып табылмайды. Прогресс дәл жаңа өндіріс процесін қолдануда жатыр, бұл ескі, 25 нанометрлік процесспен салыстырғанда энергия тұтынуды 25%-ға дейін төмендетеді.
20 нм технологиясына көшу сонымен қатар компанияны 10 нм процесін пайдаланып жад модульдерін өндіруді бастаудан ажырататын соңғы қадам болып табылады. Қазіргі уақытта жаңа модульдерде қолданылатын технология нарықтағы ең озық болып табылады және оны тек компьютерлермен ғана емес, сонымен қатар мобильді құрылғылармен де қолдануға болады. Компьютерлер үшін бұл Samsung қазір бірдей өлшемді, бірақ айтарлықтай үлкен операциялық жады бар чиптерді жасай алатынын білдіреді. Сондай-ақ, Samsung қазіргі өндіріс әдісін сақтай отырып, чиптерді кішірейту үшін бар технологиясын өзгертуге мәжбүр болды.
- Сізді қызықтыруы мүмкін: Samsung компаниясы алғашқы 8 Гб LPDDR4 мобильді DRAM жадын әзірледі
