Samsung Electronics 4 Гб өлшемі бар ең озық DDR8 жад модульдерін жаппай шығаруды бастағанын және олармен бірге корпоративтік серверлерге арналған алғашқы 32 ГБ DDR4 жедел жады модульдерін шығаруды бастағанын хабарлады. Бұл жаңа ЖЖҚ жаңа 20 нм өндірістік процесті пайдаланып шығарылады, бұл қазіргі кезде тіпті ең озық мобильді процессорларды өндіру үшін қолданылатын процесс. Samsung бұл жад модульдері жаңа буын корпоративтік серверлерінде жоғары өнімділік, жоғары тығыздық және энергияны үнемдеу талаптарының барлығына жауап береді деп мәлімдейді.
Сонымен қатар, жаңа 8 Гб DDR4 модульдерімен Samsung 20 нм өндіріс процесін пайдаланып жасалған DRAM модульдерінің барлық желісін аяқтады. Бүгінгі таңда бұл серия мобильді құрылғыларға арналған 6 Гб LPDDR3 және ДК үшін 4 Гб DDR3 модульдерін қамтиды. Содан кейін, жоғарыда айтылғандай, Samsung 32 ГБ RDIMM жад модульдерін шығара бастайды, олар бір түйреуіш үшін 2 Мбит/с тасымалдау жылдамдығын ұсынады, бұл DDR400 сервер жадының 29 Мбит/с тасымалдау жылдамдығымен салыстырғанда өнімділіктің 1%-ға артқанын білдіреді. Бірақ бұл технологияның мүмкіндіктері 866 ГБ-та тоқтамайды және Samsung 3D TSV технологиясын қолдана отырып, 32 ГБ жад модулін әзірлеуге болатынын мәлімдеді. Жаңа модульдердің артықшылығы сонымен қатар аталған төмен тұтыну болып табылады, өйткені бұл DDR3 чиптері 128 вольтты қажет етеді, бұл қазіргі уақытта мүмкін болатын ең төменгі кернеу.
//
//
*Дереккөз: Samsung
